美光員工跳槽後洩機密 3主管判有罪、聯電遭重罰1億元

社會中心／張雅筑報導【三立新聞網】

原在記憶體大廠台灣美光公司（Micro）擔任主管，並負責動態隨機存取記憶體（DRAM）製程開發的何建廷和王永銘，4年多前遭美光發現離職前竟竊取DRAM的技術投靠聯電，且薪水還是原本的3倍起跳。攜機密跳槽和聯電協理戎樂天合作，讓聯電得以靠僅兩個月的時間就研發出32奈米製程的DRAM，此舉讓美光相當氣憤又覺得不道德，因此決定在2017年向這三人和聯電提告。

全案經檢方調查後，於同年依違反營業秘密法等罪將他們起訴，經台中地院審理後，今日下午依法判戎樂天6年6月徒刑，併科罰金600萬元；何建廷5年6月徒刑，500萬元罰金；王永銘4年6月徒刑，400萬元罰金；聯電判處1億元罰金，仍可上訴二審。

【圖片翻攝自Google地圖網頁】