台積電攜ASML推12吋光罩 2033年拚量產

台積電今天宣布與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）合作，推動高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術從現行6吋光罩升級至12吋光罩，目標2031年前建立12吋光罩試產線，2033年前讓相關微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。

台積電今天發布新聞稿表示，雙方在BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布合作計畫，將共同推動半導體產業建立12吋EUV光罩生態系。

隨著先進製程持續微縮，尤其人工智慧（AI）應用帶動電晶體架構日益複雜，台積電預期，需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將逐步增加。台積電並規劃自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。

目前High NA EUV仍沿用6吋光罩。台積電指出，轉向12吋光罩後，可望進一步提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，同時消除High NA EUV曝光時需要使用兩張6吋光罩進行拼接的限制，進一步提升先進晶片的成本效益。

台積電與ASML規劃2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前完成相關微影系統準備工作，以支援12吋光罩High NA EUV技術導入先進製程量產。相關合作也獲得光罩廠、半導體製造商及設備供應商等產業鏈業者響應。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能性。透過匯聚產業價值鏈的專業能力，可藉由持續創新降低技術門檻，讓先進解決方案得以大規模普及。

ASML總裁暨執行長福克（Christophe Fouquet）表示，隨著元件微縮藍圖持續推進，High NA EUV採用程度預料將逐步提高，初期將沿用現行6吋光罩，之後再導入12吋光罩，提高設備生產力。

福克表示，透過光罩規格升級，可協助半導體產業滿足市場對更小、更快及更節能晶片的需求；此次合作初期即獲半導體製造商、光罩廠及相關合作夥伴支持。

【圖片為資料照】