台積電三星等加入應材研發聯盟 因應中國半導體崛起
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美國半導體設備大廠應用材料近日在加州森尼韋爾為投資50億美元的EPIC研發中心揭幕，台積電、三星電子及SK海力士等全球半導體大廠共同參與，盼透過跨企業技術合作，加速先進製程及製造設備研發。
美國半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）近日在加州森尼韋爾為投資50億美元的EPIC研發中心揭幕，台積電、三星電子及SK海力士等全球半導體大廠共同參與，盼透過跨企業技術合作，加速先進製程及製造設備研發。韓媒指出，隨著中國記憶體大廠長鑫存儲快速崛起，全球半導體業者正加強合作，以維持技術競爭優勢。
韓國商報（Business Korea）報導，應用材料在美國加州森尼韋爾（Sunnyvale）成立的EPIC中心（EPIC Center），總投資額達50億美元，被稱為全球規模最大的半導體製程技術與製造設備聯合研發設施。
EPIC中心創始合作夥伴包括台積電、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、英特爾（Intel）及美光（Micron），涵蓋全球主要晶圓代工、記憶體及半導體製造業者。
此外，參與合作的企業還包括博通（Broadcom）、愛德萬測試（Advantest）、SCREEN、鎧俠（Kioxia）及Besi等半導體產業鏈業者，史丹佛大學（Stanford University）與加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）等學術機構也加入研發合作。
EPIC中心將整合半導體設備、材料、製程及晶片製造技術，透過設備供應商、晶片製造商及學術機構共同研發，縮短新技術從實驗室進入量產階段所需的時間。
SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）表示，將透過與應用材料合作，因應高頻寬記憶體（HBM）、動態隨機存取記憶體（DRAM）及儲存型快閃記憶體（NAND）等領域面臨的重大技術轉折。
韓國商報指出，這項全球半導體研發合作計畫的背景之一，是中國持續推動半導體自主化，並積極提升記憶體及先進製程技術競爭力。
由於美國近年對中國實施先進半導體設備及技術出口管制，中國企業取得部分關鍵製造設備受到限制，促使中國政府與本土企業加速投入自主研發。
報導指出，美國限制荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）向中國出口極紫外光（EUV）微影設備後，中國積極發展深紫外光（DUV）微影技術，希望藉此突破先進製程發展瓶頸。
在記憶體領域，中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）近年快速擴張，逐漸成為三星電子、SK海力士及美光等國際記憶體製造商的重要競爭對手。
根據報導，長鑫存儲近期宣布開始量產新一代行動記憶體LPDDR6，並計劃採用新一代DRAM架構4F²，於今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM產品。
報導指出，三星電子與SK海力士目前尚未宣布採用4F²架構的量產計畫，長鑫存儲積極導入新技術的動向，受到國際半導體產業關注。
根據Counterpoint Research等市場研究機構統計，今年第2季三星電子在全球DRAM市場的市占率達39％，排名第一，NAND市場市占率則達29.3％。
長鑫存儲在DRAM市場的市占率則達10％，較去年同期的4％增加逾一倍，顯示中國記憶體製造商正持續擴大市場規模。
韓國商報分析，中國半導體產業的發展目標已不僅限於降低對外國技術的依賴，也希望在全球市場取得更大的競爭優勢。
在此背景下，應用材料推動EPIC中心，集結台積電、三星電子、SK海力士、英特爾及美光等主要業者，透過跨企業及跨領域研發合作，加快半導體製程與設備技術創新，以因應全球半導體產業競爭格局的變化。
【圖片翻攝自翻攝長鑫存儲官網】
韓國商報（Business Korea）報導，應用材料在美國加州森尼韋爾（Sunnyvale）成立的EPIC中心（EPIC Center），總投資額達50億美元，被稱為全球規模最大的半導體製程技術與製造設備聯合研發設施。
EPIC中心創始合作夥伴包括台積電、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、英特爾（Intel）及美光（Micron），涵蓋全球主要晶圓代工、記憶體及半導體製造業者。
此外，參與合作的企業還包括博通（Broadcom）、愛德萬測試（Advantest）、SCREEN、鎧俠（Kioxia）及Besi等半導體產業鏈業者，史丹佛大學（Stanford University）與加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）等學術機構也加入研發合作。
EPIC中心將整合半導體設備、材料、製程及晶片製造技術，透過設備供應商、晶片製造商及學術機構共同研發，縮短新技術從實驗室進入量產階段所需的時間。
SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）表示，將透過與應用材料合作，因應高頻寬記憶體（HBM）、動態隨機存取記憶體（DRAM）及儲存型快閃記憶體（NAND）等領域面臨的重大技術轉折。
韓國商報指出，這項全球半導體研發合作計畫的背景之一，是中國持續推動半導體自主化，並積極提升記憶體及先進製程技術競爭力。
由於美國近年對中國實施先進半導體設備及技術出口管制，中國企業取得部分關鍵製造設備受到限制，促使中國政府與本土企業加速投入自主研發。
報導指出，美國限制荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）向中國出口極紫外光（EUV）微影設備後，中國積極發展深紫外光（DUV）微影技術，希望藉此突破先進製程發展瓶頸。
在記憶體領域，中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）近年快速擴張，逐漸成為三星電子、SK海力士及美光等國際記憶體製造商的重要競爭對手。
根據報導，長鑫存儲近期宣布開始量產新一代行動記憶體LPDDR6，並計劃採用新一代DRAM架構4F²，於今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM產品。
報導指出，三星電子與SK海力士目前尚未宣布採用4F²架構的量產計畫，長鑫存儲積極導入新技術的動向，受到國際半導體產業關注。
根據Counterpoint Research等市場研究機構統計，今年第2季三星電子在全球DRAM市場的市占率達39％，排名第一，NAND市場市占率則達29.3％。
長鑫存儲在DRAM市場的市占率則達10％，較去年同期的4％增加逾一倍，顯示中國記憶體製造商正持續擴大市場規模。
韓國商報分析，中國半導體產業的發展目標已不僅限於降低對外國技術的依賴，也希望在全球市場取得更大的競爭優勢。
在此背景下，應用材料推動EPIC中心，集結台積電、三星電子、SK海力士、英特爾及美光等主要業者，透過跨企業及跨領域研發合作，加快半導體製程與設備技術創新，以因應全球半導體產業競爭格局的變化。
【圖片翻攝自翻攝長鑫存儲官網】